★專利的水冷設計以提供高功率密度;
★模塊化設計,可以靈活應用不同的標準功率半導體封 裝型式及不同的模塊數量;
★更低的成本;
★采用標準TO247封裝IGBT器件,耐壓650V;
★更低的雜散電感。
★專利的水冷設計以提供高功率密度;
★模塊化設計,可以靈活應用不同的標準功率半導體封 裝型式及不同的模塊數量;
★更低的成本;
★采用標準TO247封裝SiC MOSFET器件,耐壓1200V;
★更低的雜散電感。
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